半导体集成电路霍尔效应数字开关电路检测

半导体集成电路霍尔效应数字开关电路检测：电子领域检测服务，常见项目9项，包括动作点磁感应强度B op、磁感应强度B op等，依据GB/T 17574-1998等。

检测项目

力学性能

电学性能

• 动作点磁感应强度B op
• 磁感应强度B op
• 动作点磁感应强度
• 复位点磁感应强度
• 输出低电平电压V OL
• 输出漏电流I OH
• 输出高阻态电流I OZ
• 静态条件下的电源电流
• 静态电源电流I S

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

电气安全试验：测量绝缘、耐压、泄漏电流等安全指标

性能参数测试：测量电气参数与功能性能

检测仪器

• 耐压测试仪
• 绝缘电阻测试仪
• 数字万用表

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 17574-1998《半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇 第2节 1》

JB∕T 12785-2016 霍尔接近开关传感器 JB∕T 12785-2016

JB∕T 12785-2016 6.4 霍尔接近开关传感器

JB∕T 12785-2016 霍尔接近开关传感器

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。