半导体集成电路检测

半导体集成电路检测依据GB/T 17574-2017《半导体器件 集成电路 通用规范》标准开展。

检测项目

• 电气性能参数
• 功能逻辑测试
• 功耗分析
• 信号完整性
• 时序特性
• 温度循环耐受性
• 湿热老化测试
• 机械冲击试验
• 振动稳定性
• 封装气密性
• 焊点可靠性
• 静电放电抗扰度（ESD（, 电磁兼容性）EMC）
• 热阻测量
• 绝缘电阻
• 漏电流检测
• 短路保护能力
• 长期寿命评估
• 失效模式分析
• 微观结构观测

检测范围

• 数字集成电路
• 模拟集成电路
• 混合信号集成电路
• 存储器芯片
• 微处理器
• 电源管理芯片
• 射频集成电路
• 传感器芯片
• 光电集成电路
• 可编程逻辑器件(FPGA（, 专用集成电路）ASIC)
• 通信接口芯片
• 汽车电子芯片
• 工业控制芯片
• 消费电子芯片
• 航空航天级芯片
• 封装芯片(BGA, QFN等)
• 晶圆级芯片
• 系统级芯片(SoC)
• 三维集成芯片

检测方法

自动测试设备(ATE)法

通过专用设备模拟实际工作条件进行功能与参数测试。

扫描电子显微镜(SEM)法

观察芯片表面及内部结构的微观缺陷。

X射线检测法

非破坏性检测封装内部连接与焊点质量。

热成像分析法

捕捉芯片工作时的温度分布与热点。

加速寿命试验(ALT)

通过高温、高湿等应力条件预测产品寿命。

边界扫描测试(BST)

利用IEEE 1149.1标准检测互连故障。

飞针测试法

通过移动探针进行裸片电气性能验证。

红外光谱分析：检测材料成分与污染物。

原子力显微镜(AFM)法：测量表面形貌与粗糙度。

离子色谱法

分析封装材料中的离子污染物含量。

声发射检测

识别封装内部裂纹等机械缺陷。

激光诱导电压变化(OBIRCH)

定位电路中的短路或漏电路径。

聚焦离子束(FIB)切片

制备微观样品进行断面分析。

四探针电阻率测试

测量半导体材料的导电特性。

电磁干扰(EMI)扫描

评估芯片电磁辐射是否符合限值。

检测仪器

• 半导体参数分析仪
• 示波器
• 频谱分析仪
• 逻辑分析仪
• 高低温试验箱
• 振动试验台
• 扫描电子显微镜(SEM)
• X射线检测仪
• 红外热像仪
• 原子力显微镜(AFM)
• 离子色谱仪
• 飞针测试机
• 自动探针台
• 老化测试系统
• 电磁兼容测试暗室

检测标准

GB/T 12750-2006《-11:1990 半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) 表4 C组 C3》

IEC 60748《-11:1990 半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) 表4 C组 C3》

JESD51-14 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法

GB/T 20307-2006《纳米级长度的扫描电镜测量方法通则》

GB/T 31563-2015《金属覆盖层厚度测量扫描电镜法》

GJB 3233-98 半导体集成电路失效分析程序和方法 5.2.4

QZJ840615 《电子元器件“七专”技术条件》 /方法3.7.5

GB/T 26533-2011《俄歇电子能谱分析方法通则》

SJ/T 10457《-93 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则》

GJB7400-2011 合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范 表1B、表2

GB/T 16594-2008《微米级长度的扫描电镜测量方法通则》

GJB3233-1998 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.4

SJ/T 10458《-93 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱术的样品处理标准导则》

GJB 548B-2005 《微电子器件试验方法和程序》 /方法2018.1

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法1015

JESD51-1 集成电路的热测试方法-电学测试方法（适用于单片半导体器件）

SJ/T 10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》

GJB597B-2012 半导体集成电路总规范 附录B 表B.1

GB/T 14862-1993《半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法》

GJB3233-1998 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.8

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。