集成电路检测

集成电路检测：辐射检测领域检测服务，常见项目161项，包括冲击试验、引出端强度试验等，依据EN 61967-2等公开标准执行。

检测项目

力学性能

热学性能

电学性能

耐久性能

标志耐久性

• 冲击试验
• 引出端强度试验
• 温度冲击试验
• 焊锡接合强度试验
• 高温寿命试验
• 剪切强度
• 稳态寿命
• 芯片剪切强度
• 键合强度
• 键合强度（破坏性键合拉力试验）
• 低温工作寿命测试
• 高温工作寿命测试
• 高温循环擦写后的高温工作寿命测试
• 冲击
• 引出端强度
• 弯曲试验
• 拉力试验
• 低温存储试验
• 低温工作试验
• 低温运行试验
• 极限温度使用试验
• 温度影响量试验
• 耐焊接热试验
• 频率温度特性试验
• 高温存储试验
• 高温工作试验
• 高温运行试验
• 高温高湿存储试验
• 高温高湿试验
• 温度循环
• 常温循环擦写后的数据保持能力测试
• 常温循环擦写后的数据保持能力测试和读操作干扰测试
• 常温循环擦写耐力测试
• 未经循环擦写的超高温数据保持能力测试
• 未经循环擦写的高温数据保持能力测试
• 高温循环擦写后的超高温数据保持能力测试
• 高温循环擦写后的高温数据保持能力测试
• 高温循环擦写耐力测试
• 高温早期失效测试
• 交变湿热
• 低温
• 强加速湿热
• 最高和最低工作温度下电特性
• 温度变化
• 温度快速变化
• 环境温度下电特性
• 工作电流试验
• 抗静电测试试验
• 抗静电能力试验
• 接收器差分输入阈值电压试验
• 接收器输出电压试验
• 接收器输出短路电流试验
• 接收器输出高阻态漏电流试验
• 数字输入电压试验
• 电压信号采样通道测量误差试验
• 电压基准试验
• 电流信号采样通道测量误差试验
• 电源电流测试
• 电能计量误差试验
• 静态工作电流
• 频率电压特性试验
• 驱动器共模输出电压试验
• 驱动器差分输出电压试验
• 驱动器输出短路电流试验
• 静电放电敏感度的分级
• 静电放电敏感度测试/人体模型
• 静电放电敏感度测试/场感应器件放电模型
• 静电放电敏感度测试/集成电路闩锁测试
• 传导抗扰度测量-大电流注入（BCI）法
• (运算放大器的)短路输出电流
• 共模输入电压范围
• 动态条件下的总电源电流
• 基准电压
• 备用电流（静态电流）
• 差分放大器的输出电压范围
• 开环电压放大倍数
• 引出端之间的绝缘电阻
• 截止态和导通态电流（对模拟信号开关电路）
• 控制馈通电压
• 正向锁定的输入/输出电压或电流
• 满输出电压幅度的上限频率
• 电压测试：等效输入和输出电容
• 等效输入和输出电阻
• 电流测试：大信号工作时的输入和输出电容
• 外观和尺寸检查
• 尺寸
• 功率因数测量误差试验
• 功率测量误差试验
• 功耗试验
• 可焊性试验
• 周期中断功能试验
• 响应时间试验
• 增益试验
• 失效保护功能试验
• 开路/短路
• 振动试验
• 接收器输入阻抗试验
• 接收灵敏度试验
• 时钟功能试验
• 机械性能试验
• 极性判别时间试验
• 线性放大试验
• 耐湿
• 自动极性判断和校正试验
• 谐波影响量试验
• 过压保护功能试验
• 过流保护功能试验
• 通信速率及误码率试验
• 闹钟中断试验
• 频率影响量试验
• 频率测量误差试验
• X射线检查
• 外部目检
• 密封
• 恒定加速度
• 稳定性烘焙
• 粒子碰撞噪声检测
• 粒子碰撞噪声检测试验
• 老炼试验
• 芯片粘接的超声检测
• 扫描电子显微镜（SEM）检查
• 传导发射测量-1Ω/150Ω直接耦合法
• 传导抗扰度测量-直接注入法
• 汽车电子瞬态传导抗扰度（脉冲1、a、b）
• 电快速瞬变脉冲群抗扰度
• 辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法
• 辐射抗扰度测量-TEM小室和宽带TEM小室法
• MOS电路传输时间
• MOS电路延迟时间和转换时间
• 串扰衰减
• 串扰衰减（多重放大器）
• 分辨时间
• 功能验证
• 动态特性
• 单位增益频率
• 双极型电路传输时间
• 双极型电路延迟时间和转换时间
• 可焊性
• 响应时间
• 外部目检和标志检查
• 存储器写恢复时间
• 存储器地址存取时间
• 存储器片选存取时间
• 存储器读存取时间
• 导通时间和截止时间
• 小信号输入阻抗
• 建立时间和保持时间
• 截止态开关隔离
• 截止频率
• 扭转试验
• 振动
• 扫描频率
• 推力试验
• 数字集成电路功能检验
• 时序电路的转换频率
• 易燃性
• 最小写脉冲持续时间（脉宽）的测试
• 标志耐溶剂性
• 独立元件的测量（外贴元件（、独立元件的测量）淀积膜元件的测量）
• 电测试

检测范围

检测范围覆盖辐射检测领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

兆欧表法：施加规定直流电压测量绝缘电阻

绝缘电阻遥测法：评估湿热试验前后绝缘性能变化

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 绝缘电阻测试仪（兆欧表）
• 直流高压发生器

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

EN 61967

GJB4027A-2006 **电子元器件破坏性物理分析方法 项目1101、项目1102 2.3

GB/T 12750-2006《半导体器件 集成电路第11部分:半导体集成电路分规范（不包括混合电路） 12.1》

Q/GDW 11179.14-2015 电能表用元器件技术规范 第11部分：计量芯片 7.4.1

IEC 62132《集成电路-电磁抗扰度测量、150 kHz -1 GHz - 第四部分：直接射频功率输入法 8》

SJ 21473.3-2018《**集成电路电磁抗扰度测量方法 第3部分：传导抗扰度测量大电流注入（BCI）法 6》

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 2016

ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 静电放电敏感度测试、带电器件模型（CDM）-器件级

GB/T 17574-1998《半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇 第3节 4.1.2》

JESD22-A108F:2017 温度偏置寿命实验 4.2.3.2

IEC 62215《集成电路-脉冲抗扰度测量-第三部分：异步瞬态注入法 10 & Annex D》

GB/T 17940-2000《-3:1986 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇 第2节 17》

IEC 60748《-3:1986 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇 第2节 17》

JESD22-A117E:2018 电子可清除可编程ROM编程/清除耐久力和数据保持能力测试 4.2

AEC-Q100-005-REV-D1:2012 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、资料保持及工作寿命的测试 3.3

JESD47K :2018 IC集成电路压力测试考核 5.5 表 5-1

Q/GDW 11179.11-2015 电能表用元器件技术规范 第11部分：串口通信协议RS-485芯片 7.5.1

JEDEC JESD78E-2016 集成电路闩锁测试

AEC-Q100-008-REV-A:2003 早期寿命失效率 3.2

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。