场效应管检测

场效应管检测：常见项目68项，包括栅-源短路时的漏极电流、栅-源阈值电压等，依据GB/T4586等标准执行，判定以标准条款为准。

检测项目

电学性能

• 栅-源短路时的漏极电流
• 栅-源阈值电压
• 栅极截止电流
• 静态漏-源通态电阻
• 漏-源击穿电压
• 栅-源截止电流
• 漏-源截止电流
• 漏-源通态电阻
• 反向栅源漏电流（I GSSR）
• 栅源阈值电压（V GS（To））
• 正向栅源漏电流（I GSSF）
• 漏极截止电流（I DSS）
• 漏源击穿电压(V (BR)DSS )
• 漏源通态电阻（r DS（on））
• 栅-源截止电压（A和B型）（ V GSoff）
• 栅-源阈值电压（C型）（ V GS （ TO））
• 漏极截止电流
• 结栅型（A型）的栅极截止电流
• 绝缘栅型（B和C型）的栅极漏泄电流
• 通态漏-源电阻（ r ds（on））
• 栅-源阈值电压 V GS（TO）
• 栅极截止电流或栅极漏泄电流（漏-源短路）I GSS
• 漏极-源极击穿电压 BVDSS
• 漏极电流
• 静态漏-源通态电阻 R DS（on）
• 栅--源击穿电压BV GS
• 漏--源断态电阻R DSon
• 漏--源短路时的栅极截止电流I GSS
• 零栅压时的漏极电流I D S S
• 栅源漏电
• 漏源击穿电压BVDSS
• 漏源漏电
• 通态漏源电阻rds(on)
• 阈值电压VT
• 栅源阈值电压
• 漏源通态电压
• 栅-源截止电压VGS(off)
• 栅极截止（漏泄）电流IGSS
• 漏极电流IDSS
• 静态漏-源通态电阻RDS
• 正向栅源漏电流I
• 反向栅源漏电流I
• 漏源通态电阻r
• 栅源阈值电压V
• 栅极截止电流I GSS
• 栅源 截止电压V GSoff
• 漏-源通态电压V DS(ON)
• 漏-源通态电阻R DS(ON)
• 反向栅源漏电流
• 正向栅源漏电流
• 漏源击穿电压
• 漏源通态电阻
• 零栅压漏极电流
• 栅-源截止电压 V GS（OFF）
• 漏-源通态电流
• 漏-源通态电压
• 漏－源击穿电压
• 栅-源截止电压
• 漏极截止电流I
• 漏极电流A
• 静态漏-源通态电阻r DSon
• 漏-源通态电压V DSon 和断态电阻r DSoff
• 跨导
• 正向跨导G FS
• 小信号短路正向跨导gf s
• 小信号短路正向跨导
• 正向传输比
• B 和C型I D

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

频谱分析法/时域测量法：测量信号频谱特性与传输性能指标

检测仪器

• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• 频谱分析仪
• 示波器
• 信号发生器
• 网络分析仪

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 4586-1994《半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管》（4.15）

GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 方法3407

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005

GJB548B-2005/方法1022 栅源阈值电压

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法1022

GJB128A-1997/方法3407 漏源击穿电压

GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。