MOS场效应管检测

MOS场效应管检测：常见项目13项，包括栅极漏电流、漏极反向电流等，依据GB/T4586-1994等标准执行，判定以标准条款为准。

检测项目

电学性能

• 栅极漏电流
• 漏极反向电流
• 漏源间击穿电压
• 漏源间通态电压
• 漏源间通态电阻
• 阈值电压
• 栅-源阈值电压 V GS（th）
• 栅源截止（漏泄）电流 I GSS
• 漏源击穿电压 V （BR）DSS
• 漏源极截止电流 I DSS
• 静态漏-源通态电阻 r DS
• 二极管正向压降
• 正向跨导 g fs

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

检测仪器

• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 4586-1994《半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章6》

GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407

MIL-STD-750F:2012 半导体分立器件试验方法 4011

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

MIL-STD- 750F:2012 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。