半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测

半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测：常见项目23项，包括低温测试、瞬态热阻R th等，依据GB/T 6571-1995等标准执行，判定以。

检测项目

热学性能

电学性能

• 低温测试
• 瞬态热阻R th
• 稳态热阻R ja
• 高温测试
• 栅极截止电流I GSS
• 漏-源击穿电压V (BR)DSS
• 漏-源通态电阻R DS(on)
• 漏极截止电流I DSS
• 结电容C iss
• 阈值电压V GS（th（ V GS）off）
• 二极管正向压降V SD
• 反向恢复时间t rr
• 开关时间(t d(on)）
• t t
• t f
• t d（off） （、栅电荷）Qg
• Qgs
• Qgd
• 正向跨导gfs
• R jc
• C oss
• C rss
• 耐溶性

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• X射线衍射仪

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 6571-1995《半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管》

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009

GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005

GB/T 4586-1994

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4011

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 215

MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F

GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 2015.1

MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3472.2

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。