半导体器件（场效应管）检测

半导体器件（场效应管）检测：电子产品检测项目与标准依据说明，常见项目9项，包括栅-源短路时的漏-源击穿电压、栅极（直流）电流等。

检测项目

电学性能

• 栅-源短路时的漏-源击穿电压
• 栅极（直流）电流
• 栅源短路时（VGS=0）的漏极电流
• （结型场效应晶体管的）栅极截止电流
• 漏-源直流电压
• （增强型绝缘栅场效应晶体管的）栅-源阈值电压
• 源极开路时
• 漏--源短路时
• 漏极开路时

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构

检测仪器

• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• X射线衍射仪

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 4586-1994《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。