存储器检测

存储器检测：辐射检测领域检测服务，常见项目87项，包括低温工作寿命检测、无偏压高加速温湿度寿命检测(UHAST)等，依据GB/T 17574-1998等公开标准执行。

检测项目

力学性能

热学性能

电学性能

• 低温工作寿命检测
• 无偏压高加速温湿度寿命检测(UHAST)
• 早夭期寿命检测
• 高加速温湿度寿命检测（HAST）
• 高温工作寿命检测
• 低温读写
• 常温读写＋保存数据退化及只读检测
• 温度循环检测（TC）
• 静态高温长时间保存下数据退化检测
• 高温存储检测（HTSL）
• 高温读写＋保存数据退化检测
• 低电平电流
• 输出低电平电压VOL
• 输出高电平电压VOH
• 静态条件下的电源电流
• 电源电流
• 输入低电平电压
• 输入电平电流
• 输入高电平电压
• 输出低电平电压
• 输出负载电流
• 输出高电平电压
• 电源电压
• 输入负载电流II
• 工作状态时电源电流ICC
• 工作状态电源电流 I CC
• 维持状态电源电流 I CCS
• 输入负载电流 I LI
• 动态电源电流
• 输入低电平电流
• 输入高电平电流
• 输出漏电流
• 静态电源电流
• 输入高电平电流I IH
• 输入低电平电流I IL
• 静态条件下的电源电流I BB
• 静态条件下的电源电流I DD
• 静态条件下的电源电流I SB
• 输入低电平电压VIL
• 输出高阻态电流IOZL
• 动态条件下的总电源电流ICC
• 输入负载电流I
• 动态条件下的总电源电流I
• 静电放电-人体模型检测（ESD-HBM）
• 静电放电-带电器件模型检测（ESD-CDM）
• 输入高电平电流和输入低电平电流
• 输出短路电流
• 输出高电平电压和输出低电平电压
• 全“1”全“0”
• 输入高
• 功能特性
• 最高工作频率
• 地址存取时间t AA
• 片选存取时间t AC
• 全“0”全“1”功能测试
• 校验板功能测试
• 传输时间
• 保持时间
• 存储单元0变1功能
• 存储单元1变0功能
• 延迟时间
• 建立时间
• 特殊数据图形功能
• 输入低电平
• 输入高电平
• 输出低电平
• 输出高电平
• 功能测试（全“1”全“0”）
• 功能测试（棋盘格）
• 地址存取时间t
• 片选存取时间t
• 接口协议检测
• 擦写读取检测
• 湿敏等级检测
• 电气参数检测
• 芯片的 DPI 传导抗扰度
• 芯片的 EFT 传导抗扰度
• 芯片的 PESD 传导抗扰度
• 芯片辐射电场抗扰度
• 闩锁检测（Latch-up）
• 预处理检测
• 写恢复时间
• 功能
• 地址存取时间
• 最小写脉冲的持续时间脉宽
• 片选存取时间
• 读存取时间

检测范围

检测范围覆盖辐射检测领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率

静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度

发射测试：测量电源端传导骚扰与辐射骚扰电平

抗扰度测试：施加规定的骚扰量，观察工作状态变化

检测仪器

• 高阻计
• 表面电阻测试仪
• 静电放电发生器
• EMI接收机
• 人工电源网络
• 电波暗室

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

SJ/T 10739《-96 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 -96》

GB/T 17574-1998《半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路》

SJ/T 10739-1996《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理第2.1、2.2、2.3、2.6、4条》

T/CIE070-2020 工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分：非易失性存储器 5.6.3

GB/T 36477-2018《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》

T/CIE 070-2020 工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分：非易失性存储器 5.7.3

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。