MOS随机存储器检测

MOS随机存储器检测：常见项目58项，包括输入高电平电流I IH、输入低电平电流I IL等，依据GB/T 17574-1998等标准执行，判定以标准条款为准。

检测项目

电学性能

• 输入高电平电流I IH
• 输入低电平电流I IL
• 静态条件下的电源电流I BB
• 静态条件下的电源电流I DD
• 输入负载电流I LI
• 静态条件下的电源电流I SB
• 输入低电平电压VIL
• 输出高阻态电流IOZL
• 动态条件下的总电源电流ICC
• 输入负载电流I
• 动态条件下的总电源电流I
• 工作状态时电源电流I CC
• 维持状态时电源电流I CCS
• 输入负载电流I L1
• 输入低电平电流
• 输入高电平电流
• 输出低电平电压
• 输出高电平电压
• 输出高阻态电流
• 静态条件下的电源电流
• 工作状态时 V CC 电源电流 I CC
• 工作状态时 V DD 电源电流 I DD
• 维持状态时 V CC 电源电流 I CCS
• 维持状态时 V DD 电源电流 I DDS
• 输出低电平电压 V OL
• 输出高电平电压 V OH
• 输出高阻态时低电平电流 I OZL
• 输出高阻态时高电平电流 I OZH
• 工作状态时电源电流
• 维持状态时电源电流
• 输出高阻态电流 I OZ
• 动态条件下的总电源电流
• 静态工作电源电流
• 输出低阻态时低电平电流I OZL
• 输入高阻态电流 IOZ
• 功能测试（全“1”全“0”）
• 功能测试（棋盘格）
• 地址存取时间t AA
• 片选存取时间t AC
• 地址存取时间t
• 片选存取时间t
• 全“1”全“0”
• 写周期时间t WC
• 地址取数时间t AA
• 校验板
• 片选取数时间t AC
• 读周期时间t RC
• 功能测试全0全1
• 功能测试列条
• 功能测试对角线
• 功能测试步进（0、）
• 功能测试行条
• 功能测试
• 存储器特定时间
• 延迟时间
• 建立时间
• 保持时间
• 全“0”全“1”功能测试

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

SJ/T 10739-1996《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》

GB/T 17574-1998《半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。