半导体器件检测

半导体器件检测：常见项目132项，包括稳态湿热偏置寿命、引出端强度等；适用标准以GB/T 2423.50等现行有效版本为准。

检测项目

力学性能

热学性能

电学性能

化学性能

耐久性能

• 稳态湿热偏置寿命
• 引出端强度
• 机械冲击
• 热冲击
• 老炼和寿命试验（功率场效应晶体管）
• 高温寿命（非工作）
• 晶片剪切强度
• 键合强度（破坏性键合线拉力试验）
• 间歇工作寿命
• 稳态温湿度偏置寿命测试
• 高温贮存寿命测试
• 弯曲测试
• 机械冲击试验
• 偏压和工作寿命试验
• 冲击
• 键合强度试验
• 芯片剪切强度试验
• 偏压和工作寿命
• 冷热冲击
• 高温储存寿命
• 低温储存寿命
• 芯片强度测试
• 结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
• 高温栅极偏置(HTGB)
• 高温阻断（HTRB）
• 温度循环
• 强加速稳态湿热
• 高温反偏（HTRB）
• 高温栅偏（HTGB）
• 热阻
• 高温反偏
• 恒定湿热
• 高温
• 高温栅极偏置
• PCT高压高温试验
• 低温试验
• 温度循环测试
• 高温试验
• 低温储存试验
• 功率温度循环试验
• 加速耐湿性无偏置高加速温度湿度应力测试
• 温度
• 高加速温度湿度应力测试
• 温度变化
• 循环湿热
• 稳态湿热
• 温度/湿度组合循环试验
• 热间断试验
• 高加速温湿度应力试验
• 温湿度偏压试验
• 加速抗湿-无偏压高加速温湿度应力
• 耐焊接热
• 高温阻断
• 静电放电敏感度/机器模型
• 静电放电敏感度/人体模型
• 静电放电测试（人体模型）
• 静电放电测试（带电器件模型）
• 无偏置电压高压蒸煮
• 人体模型静电放电测试
• 充电器件模型静电放电测试
• 绝缘测试
• 共发射极静态电流传输比 H FE
• 基极--发射极饱和电压VBEs
• 集电极--发射极饱和电压VCEs
• 集电极--基极截止电流 I CBO
• 发射极--基极截止电流 I EBO
• 集电极--发射极截止电流 I CEO
• 集电极--基极击穿电压 BV CBO
• 发射极--基极击穿电压 BV EBO
• 集电极--发射极击穿电压 BV CEO
• 漏-源短路漏极电流IDss
• 漏--源短路时的栅极漏电流IGss
• 漏--源击穿电压BVGs
• 栅极阈值电压VGs（th）
• 静态漏--源通态电阻RDs（on）（Vds）
• 漏极电流 I d（on）
• 正向电压 V F
• 反向电流 I R
• 击穿电压V BR
• 总电容 C tot
• 正向电压 V Z
• 结电容Cj
• 反向击穿电压 V R
• 反向漏电流IR
• 集电极-发射极饱和电压VCEs
• 发射极-集电极击穿电压 V ECO
• 盐雾
• 盐雾试验
• 功率循环
• 标志的耐久性
• 功率循环（PCsec（、功率循环）PCmin）
• 外观及机械检查
• 物理尺寸
• 外观和尺寸检查
• X射线无损检测
• 密封
• 恒定加速度
• 盐气（侵蚀）
• 加速度
• 扫频振动
• 低气压
• 倒装芯片拉脱
• 外部目检
• 半导体集成电路
• 半导体分立器件
• 膜集成电路和混合膜集成电路
• 声学扫描
• 密封性试验
• 粒子碰撞噪声检测试验
• 振动试验
• 湿度敏感等级
• 闩锁效应
• 预处理
• 高压蒸煮试验
• X射线检查
• 内部目检
• 外部检查
• 密封性检查
• 粒子碰撞噪声检测
• 锡焊
• 正弦振动
• 贮存
• 塑料封装器件的易燃性试验
• 可焊性
• 跌落
• 振动
• 板弯测试
• 集成电路闩锁测试
• 耐湿
• 老炼（二极管、整流管和稳压管）
• 小信号短路正向跨导gfs
• 正向压降 V F

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率

静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• 高阻计
• 表面电阻测试仪
• 静电放电发生器

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

JESD 22-B111A:2016 手持式电子元器件板级跌落试验方法 JESD22-B111A:2016

JESD 22-A119A:2015 低温储存寿命测试 JESD22-A119A:2015

JESD22-A102E:2015 加速抗湿性-无偏置高压蒸煮试验

GB/T 2423.50-2012《环境试验 第2部分：试验方法 试验Cy 恒定湿热 主要用于元件的加速试验 4》

GB/T 12750-2006《半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路)》

GB/T 4023-2015《半导体分立器件 第2部分：整流二极管》

EN 60749《BS -35:2006 半导体器件-机械和气候试验方法-第35部分：塑封电子元器件的声学扫描》

JESD51-14 (2010) 基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法

JEDEC JESD22-B109B:2014 倒装芯片拉脱

IEC 60749《+A1:2011 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 5.2.3.4》

JESD22-A108F:2017 温度、偏压、寿命测试

GB/T 4937-1995《-8-2002 半导体器件机械和气候试验方法 第III篇 7》

JEDEC JESD22-B100B：2016 物理尺寸

JESD22-A113I:2020 可靠性测试前非气密性表面贴装器件的预处理

GB/T 4937.12-2018《半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动》

JESD 22-A104F:2020 温度循环 JESD22-A104F:2020

JEDEC JESD22-B101C:2015 外部目检

JESD 22A101D:2015 稳态温度湿度偏压寿命试验 JESD22A101D:2015

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。