晶体管检测
晶体管检测：常见项目71项，包括高温寿命（非工作）、高温寿命等；适用标准以GB/T 4587-1994等现行有效版本为准。
检测项目
力学性能
热学性能
电学性能
- 高温寿命（非工作）
- 高温寿命
- 常温功率老炼
- 高温反偏老炼
- 稳态热阻
- 温度循环
- 高温反偏
- 发射极-基极击穿电压V (BR)EBO
- 发射极-基极截止电流I EBO
- 基极-发射极饱和电压V BEsat
- 正向电流传输比h FE
- 集电极-发射极击穿电压V (BR)CEO
- 集电极-发射极截止电流I CEO
- 集电极-发射极截止电流I CER
- 集电极-发射极截止电流I CES
- 集电极-发射极截止电流I CEX
- 集电极-发射极饱和电压V CEsat
- 集电极-基极击穿电压V (BR)CBO
- 集电极-基极截止电流I CBO
- 漏源击穿电压
- 集电极-发射极击穿电压
- 发射极-基极截至电流IEBO
- 发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)CBO
- 集电极-发射极截至电流ICEO
- 集电极-基极截至电流ICBO
- 基射极电压
- 射基极关态电流
- 射基极反向击穿电压
- 集基极反向击穿电压
- 集基电极关态电流
- 集射极反向击穿电压
- 集射电极关态电流
- 集电极-发射极饱和电压
- 共发射极电流放大倍数
- 发射极—基极击穿电压
- 发射极—基极间漏电流
- 集电极—发射极击穿电压
- 集电极—发射极漏电流
- 集电极—基极击穿电压
- 集电极—基极反向电流
- 共发射极正向电流传输比的静态值
- 发射极-基极击穿电压
- 发射极-基极截止电流
- 栅-源截止电压
- 栅-源阈值电压
- 漏极电流
- 集电极-发射极截止电流
- 集电极-基极击穿电压
- 集电极-基极截止电流
- 击穿电压
- 截止电流
- 基极-发射极饱和电压
- 共射极正向电流传输比
- 共发射极正向电流传输比
- 共射极正向电流传输比（H FE ）
- 晶体管集电极-发射极击穿电压V (BR)CEX
- 反向击穿电压
- 正向电流传输比
- 直流增益
- 集射极饱和压降
- 放大倍数
- 放大倍数h FE
- 密封性检查
- 恒定加速度
- 稳态功率
- 粒子碰撞噪声检测试验（PIND）
- 基极—发射极间非饱和压降
- 基极—发射极饱和压降
- 集电极—发射极间饱和压降
- 直流放大倍数
- 饱和压降
检测范围
适用于环境领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。
检测方法
工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力
疲劳试验：施加交变载荷，测定疲劳寿命或S-N曲线
耐久性试验：模拟实际工况进行重复加载考核
密封性能试验：加压或抽真空检漏，评价密封等级
外壳防护试验：按IP等级进行淋水、扬尘等考核
检测仪器
- 耐压测试仪
- 击穿电压测试仪
- 疲劳试验机
- 电液伺服试验机
- 气密性检漏仪
- 氦质谱检漏仪
- 淋雨试验箱
- 砂尘试验箱
检测标准
常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：
GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》
GB/T 4586-1994《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章 第5节》
GB/T 128《A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011》
GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
GJB128A-97 半导体分立器件试验方法 3011
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准 3066.1
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407
MIL-STD- 750F:2012 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012
GB 4587
GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法1039
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
