绝缘栅双极型晶体管检测
绝缘栅双极型晶体管检测：电子领域检测服务，常见项目33项，包括结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗、稳态热阻等，依据GB/T 29332-201等公开标准执行。
检测项目
热学性能
电学性能
- 结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
- 稳态热阻
- 栅极-发射极漏电流(I GES )
- 栅极-发射极阈值电压(V GE(th) )
- 集电极-发射极饱和电压（V CE（sat） （、集电极截止电流）I CES ）
- 集电极-发射极饱和电压 V CE(sat)
- 集电极截止电流 I CES
- 集电极-发射极击穿电压
- 栅极-发射极阈值电压
- 栅极漏电流
- 集电极-发射极饱和电压
- 集电极截止电流
- 人体静电放电模式
- 反向传输电容
- 输入电容
- 输出电容
- 集射间反向击穿电压
- 集电极反向漏电流
- 通态电压
- 通态电阻
- 绝缘栅双极型晶体管直流参数测试仪检定校准
- 集电极-发射极漏流
- 集电极-发射极饱和压降
- 二极管反向恢复时间
- 开关时间&
- amp
- 损耗
- 最大反偏安全工作区
- 栅极电荷
- 短路耐受时间
- 栅极内阻
- 二极管压降
- 二极管反向恢复电荷
检测范围
检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。
检测方法
工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力
表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率
静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度
X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构
检测仪器
- 耐压测试仪
- 击穿电压测试仪
- 高阻计
- 表面电阻测试仪
- 静电放电发生器
- X射线衍射仪
检测标准
常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：
MIL-STD- 750-4w/CHANGE 3-2019 半导体设备二极管电学实验方法 MIL-STD-750-4w/CHANGE 3-2019
GB/T 29332《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》
GB/T 29332-2012《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》
MIL-STD- 750-3w/CHANGE 1-2019 半导体设备晶体管电学实验方法 MIL-STD-750-3w/CHANGE 1-2019
ANSI/ESDA/JEDECJS-001:2017 器件级静电放电灵敏度测试-人体模式
MIL-STD-750F:2012 半导体分立器件试验方法 3407
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3407
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
IEC 60747《半导体器件-第9部分:分立器件 绝缘栅双极型晶体管 -9:2019》
MIL-STD- 750F:2012 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012
JESD 24-11-1996 功率场效应管栅极电阻测试方法 JESD24-11-1996
JJG(电子) 310007 绝缘栅双极型晶体管直流参数测试系统检定规程
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
