双极性晶体管检测
双极性晶体管检测：电子产品检测项目与标准依据说明，常见项目29项，包括共发射极小信号正向电流传输比、共发射极开路反向电压传输比等。
检测项目
电学性能
- 共发射极小信号正向电流传输比
- 共发射极开路反向电压传输比
- 击穿电压
- 发射极-基极击穿电压
- 发射极-基极截止电流
- 正向电流传输比
- 集电极-发射极截止电流
- 集电极-基极击穿电压
- 集电极-基极截止电流
- 共发射极正向电流传输比的静态值
- 发射极电流为零时的集电极－基极击穿电压
- 发射极－基极截止电流（反向电流）
- 基极-发射极饱和电压
- 集电极电流为零时的发射极－基极击穿电压
- 集电极－发射极饱和电压
- 集电极－基极截止电流（反向电流）
- 共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变）（直流或脉冲法）HFE
- 发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)CEO
- 集电极-发射极截止电流（直流法）ICEO
- 集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 栅极漏电流I GES
- 集电极截止电流I CES
- 栅极-发射极阈值电压V GE ( th )
- 集电极-发射极电压V CE
- 共发射极短路输入阻抗
- 共发射极开路输出导纳
- 共基极开路输出导纳
- 基极-发射极饱和压降
- 集电极-发射极饱和压降
检测范围
检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。
检测方法
工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力
频谱分析法/时域测量法：测量信号频谱特性与传输性能指标
X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构
检测仪器
- 耐压测试仪
- 击穿电压测试仪
- 频谱分析仪
- 示波器
- 信号发生器
- 网络分析仪
- X射线衍射仪
检测标准
常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：
GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极性晶体管》
GB/T 4586《－94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 －94》
GB/T 12560-1999
IEC 60747
GB/T 4589.1-2006
GB/T 29332《-201 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》
GB/T 29332-2012《-201 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
