可控硅检测
可控硅检测：常见项目26项，包括低温测试、高温反偏试验等，依据GB/T15291-2015等标准执行，判定以标准条款为准。
检测项目
热学性能
电学性能
自动投励磁的转差率试验
- 低温测试
- 高温反偏试验
- 高温测试
- 开路断态电流
- 短路断态电流
- 维持电流
- 通态电压
- 门极触发电压
- 门极触发电流
- 反向峰值电流I RRM
- 擎住电流I L
- 断态峰值电流I DRM
- 维持电流I H
- 通态峰值电压V TM
- 通态斜率电阻R t
- 门极触发直流电压V GT
- 门极触发直流电流I GT
- 输出电压可调范围的电压值检验
- 启动回路电压特性试验
- 反向重复峰值电压
- 反向重复峰值电流
- 控制极触发电压
- 控制极触发电流
- 断态重复峰值电压
- 断态重复峰值电流
检测范围
适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。
检测方法
电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量
滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定
检测仪器
- 电感耦合等离子体发射光谱仪
- 自动电位滴定仪
- 分析天平
检测标准
常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：
GB/T 15291-2015《半导体器件 第 第6部分 晶闸管 9.1.2、9.1.3、 9.1.4、 9.1.5、 9.1.6、 9.1.7》
JB/T7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法 方法 5.3
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 1040
GB/T 10585-1989《中小型同步电机励磁系统 基本技术要求》
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T7626-2013
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
