半导体可控硅检测

半导体可控硅检测：电子领域检测服务，常见项目11项，包括低温测试、高温反偏试验等，依据GB/T15291-2015等公开标准执行。

检测项目

热学性能

电学性能

• 低温测试
• 高温反偏试验
• 高温测试
• 反向峰值电流I RRM
• 擎住电流I L
• 断态峰值电流I DRM
• 维持电流I H
• 通态峰值电压V TM
• 通态斜率电阻R t
• 门极触发直流电压V GT
• 门极触发直流电流I GT

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 15291-2015《半导体器件 第 第6部分 晶闸管 9.1.2、9.1.3、 9.1.4、 9.1.5、 9.1.6、 9.1.7》

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 1040

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。