密封半导体集成电路检测

密封半导体集成电路检测：常见项目11项，包括剪切强度、键合强度等，具体项目以委托确认与适用标准为准。

检测项目

力学性能

• 剪切强度
• 键合强度
• X射线检查
• 内部气体成份分析
• 内部目检
• 外部目检
• 密封
• 扫描电子显微镜(SEM)检查
• 粒子碰撞噪声检测(PIND)
• 扫描电子显微镜（SEM）检查
• 粒子碰撞噪声检测（PIND）
• 粒子碰撞噪声检测
• 扫描电子显微镜检查

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

剥离/剪切试验：以规定角度与速率加载，测定剥离或粘结强度

划格法/拉开法：评价涂层与基体的附着性能

密封性能试验：加压或抽真空检漏，评价密封等级

外壳防护试验：按IP等级进行淋水、扬尘等考核

检测仪器

• 万能材料试验机
• 附着力测试仪
• 划格器
• 气密性检漏仪
• 氦质谱检漏仪
• 淋雨试验箱
• 砂尘试验箱

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GJB 4027A-2006 **电子元器件破坏性物理分析方法 1101

GJB4027A-2006 **电子元器件破坏性物理分析方法 1101/2.3

GJB4027A-2006、2.10 **电子元器件破坏性物理分析方法

**电子元器件破坏性物理分析方法GJB4027A-2006工作项目1101第2.2条 外部目检

GJB4027A-2006、2.2 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB4027A-2006、2.3 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB4027A-2006、2.4 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB4027A-2006、2.5 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 2010.1、方法2013

GJB4027A-2006、2.6 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB548B-2005 半导体分立器件试验方法

GJB4027A-2006、2.7 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB4027A-2006、2.8 **电子元器件破坏性物理分析方法

GJB4027A-2006、2.9 **电子元器件破坏性物理分析方法

**电子元器件破坏性物理分析方法GJB4027A-2006工作项目1101第2.7条 内部目检

**电子元器件破坏性物理分析方法GJB4027A-2006工作项目1101第2.5条 密封

**电子元器件破坏性物理分析方法GJB4027A-2006工作项目1101第2.4条 粒子碰撞噪声检测

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。