三极管检测
三极管检测：常见项目62项，包括高温寿命（非工作）、温度循环等，依据GB/T 4587-1994等标准执行，判定以标准条款为准。
检测项目
力学性能
高温寿命（非工作）
热学性能
电学性能
外观和机械检查
- 温度循环
- 高温贮存
- 温度循环（空气-空气）
- 发射极-基极击穿电压
- 发射极-基极截止电流
- 基极-发射极饱和电压
- 栅极漏泄电流
- 正向电流传输比
- 漏一源击穿电压
- 漏极截止电流
- 漏极电流
- 集电极-发射极截止电流
- 集电极-发射极饱和电压
- 集电极-基极击穿电压
- 集电极-基极截止电流
- 集电极-射极击穿电压
- 静态漏-源通态电阻
- 发射极-基极击穿电压V (BR)EBO
- 发射极-基极截止电流（I EBO）
- 基极-发射极饱和电压（V BEsat）
- 集电极-发射极击穿电压V (BR)CEO
- 集电极-发射极截止电流（I CEO）
- 集电极-发射极饱和电压（V CEsat）
- 集电极-基极击穿电压V (BR)CBO
- 集电极-基极截止电流（I CBO）
- 共发射极直流电流放大系数
- 集电极-发射极击穿电压
- 共发射极正向电流传输比
- 发射极—基极击穿电压
- 发射极—基极截止电流
- 基极—发射极饱和电压
- 集电极—发射极击穿电压
- 集电极—发射极截止电流
- 集电极—发射极饱和电压
- 集电极—基极击穿电压
- 集电极—基极截止电流
- 共发射极正向电流传输比h 21E
- 发射极 –基极截止电流Iebo
- 发射极-基极击穿电压Vebo
- 基极-发射极饱和电压VbeSsat
- 集电极 –发射极截止电流I CEO
- 集电极 –基极截止电流Icbo
- 集电极-发射极维持电压Vceo
- 集电极-发射极饱和电压Vcesat
- 集电极-基极击穿电压Vcbo
- 发射极电流为零时集电极-基极击穿电压
- 集电极-发射极维持电压
- 集电极电流为零时集电极-基极击穿电压
- 共发射极正向电流传输比h
- 集电极 –发射极截止电流I
- 正向跨导
- 放大倍数（h FEL）
- 老炼
- 放大倍数
- 密封
- 恒定加速度
- 电性能参数
- 粒子碰撞噪声检测（PIND）
- 小信号功率增益
- 电性能参数及特性曲线
检测范围
适用于环境领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。
检测方法
工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力
频谱分析法/时域测量法：测量信号频谱特性与传输性能指标
疲劳试验：施加交变载荷，测定疲劳寿命或S-N曲线
耐久性试验：模拟实际工况进行重复加载考核
检测仪器
- 耐压测试仪
- 击穿电压测试仪
- 频谱分析仪
- 示波器
- 信号发生器
- 网络分析仪
- 疲劳试验机
- 电液伺服试验机
检测标准
常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：
GJB150.1A-2009 **装备实验室环境试验方法 第1部分：通用要求
GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》
GJB128A－97 半导体分立器件试验方法 2071
GJB 128A－97 半导体分立器件试验方法 GJB128A－97
GJB 128A-199 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997
GJB33A-97 半导体分立器件总规范 4.6
GJB128A－1997 《半导体分立器件试验方法》 方法2071
GJB150.3A-2009 **装备实验室环境试验方法 第3部分：高温试验
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3407
GJB 128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
GB/T 4586-1994《-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第 IV 章 2》
IEC 747《-8-1984 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第 IV 章 2》
GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3256
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
