半导体 晶体三极管检测

半导体 晶体三极管检测：电子产品检测项目与标准依据说明，常见项目10项，包括共发射极正向电流传输比、发射极—基极击穿电压等。

检测项目

电学性能

• 共发射极正向电流传输比
• 发射极—基极击穿电压
• 发射极—基极截止电流
• 集电极—发射极截止电流
• 集电极—发射极饱和电压
• 集电极—基极击穿电压
• 集电极—基极截止电流
• 恒定加速度
• 老炼试验
• 半导体晶体三极管hFE参数测试仪检定校准

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构

检测仪器

• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• X射线衍射仪

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

JJG(电子) 310004 晶体管hFE参数测试仪统检定规程

GJB128A-1997/ 半导体分立器件试验方法 2006

GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管 9.6》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。