太阳电池用多晶硅片检测

太阳电池用多晶硅片检测：电子产品检测项目与标准依据说明，常见项目8项，包括少数载流子寿命、导电类型等。

检测项目

力学性能

少数载流子寿命

电学性能

化学性能

• 导电类型
• 电阻率
• 氧浓度
• 碳浓度
• 厚度及总厚度变化
• 外形尺寸
• 表面质量

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率

静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 高阻计
• 表面电阻测试仪
• 静电放电发生器

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 1557-2018《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》

GB/T 29055-2012《太阳电池用多晶硅片》

GB/T 6616-2009《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》

SEMI MF 1535-1106 非接触微波反射光电导衰减测试硅晶片载流子复合寿命的方法

GB/T 6618-2009《硅片厚度和总厚度变化测试方法》

GB/T 1558-2009《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》

GB/T 1550-2018《非本征半导体材料导电类型测试方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。