硅单晶检测

硅单晶检测：常见项目24项，包括少数载流子寿命、弯曲度等；适用标准以GB/T 12965-2005等现行有效版本为准。

检测项目

力学性能

电学性能

化学性能

• 少数载流子寿命
• 弯曲度
• 径向电阻率变化
• 电阻率
• 导电类型
• 硅单晶电阻率标准样片检定校准
• 氧含量
• 碳含量
• 直径
• 直径及允许误差
• 表面质量
• 厚度和总厚度变化
• 厚度与总厚度变化
• 微管密度
• 表面金属
• 晶体完整性
• 晶向及晶向偏离度
• 晶向
• 翘曲度
• 氧化诱生缺陷
• 晶型
• 表面粗糙度
• 晶向及晶向离度
• 主参考面晶向

检测范围

适用于材料领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率

静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 高阻计
• 表面电阻测试仪
• 静电放电发生器

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 12965-2005《硅单晶切割片和研磨片》

GB/T 1554-2009《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》

SJ/T 11503-2015《碳化硅单晶抛光片表面粗糙度测试方法 5. 原子力显微镜法》

GB/T 30866-2014《碳化硅单晶片直径测试方法》

GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》

GB/T 25076-2018《太阳电池用硅单晶 6.2》

GB/T 30867-2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》

SEMI PV43-0113 太阳能电池用硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法

JJF 1760 硅单晶电阻率标准样片校准规范

GB/T 12962-2015《硅单晶》

GB/T 14140-2009《硅片直径测量方法》

GB/T 1550-2018《非本征半导体材料导电类型测试方法》

GB/T 31351-2014《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》

GB/T 12964-2003《直径》

SJ/T 11504-2015《碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。