半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)检测
半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)检测：电子领域检测服务，常见项目25项，包括低温测试、瞬态热阻R th等，依据GB/T4587-1994等公开标准执行。
检测项目
热学性能
电学性能
- 低温测试
- 瞬态热阻R th
- 稳态热阻R ja
- 高温反偏试验
- 高温测试
- 发射极-基极反向击穿电压V (BR)EBO
- 发射极-基极反向截止电流I EBO
- 基极-发射极电压VBE
- 基极-发射极饱和电压V BE(sat)
- 正向电流传输比H FE
- 集电极-发射极击穿电压V (BR)CEO
- 集电极-发射极截止电流I CEO I CER I CEX I CES
- 集电极-发射极截止电流I CEO
- 集电极-发射极电压V CEO
- 集电极-发射极饱和电压V CE(sat)
- 集电极-基极反向击穿电压V (BR)CBO
- 集电极-基极反向截止电流I CBO
- 集电极-基极电压V CBO
- 开关时间测试(t d(on)）
- t r
- t f
- t d(off) )
- 直流安全工作区
- R jc
- 老炼试验
检测范围
检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。
检测方法
工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力
X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构
检测仪器
- 耐压测试仪
- 击穿电压测试仪
- X射线衍射仪
检测标准
常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：
GB/T 4587-1994
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3472
MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3036.1、3071、3066.1、3041.1、3011.2、3076.1
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
