晶体硅检测

晶体硅检测：材料领域检测服务，常见项目82项，包括少数载流子寿命、静态机械载荷试验等，依据GB/T 26071-2018等公开标准执行。

检测项目

力学性能

热学性能

电学性能

化学性能

耐久性能

• 少数载流子寿命
• 静态机械载荷试验
• 引出端强度试验
• 机械载荷试验
• 引线端强度测试
• 静态载荷试验
• 剪切试验
• 压力试验
• 湿热试验
• 热循环试验
• 标准条件和标准电池额定工作温度下的性能
• 标准电池额定工作温度的测量
• 温度系数测量
• 热斑耐久试验
• 温度和辐照度修正方法
• 旁路二极管热性能
• 标准测试条件和标称工作温度下的性能
• 温度系数
• 热斑耐久性试验
• 组件标称工作温度的测量
• 低温试验
• 基硼电阻率
• 基磷电阻率
• 径向电阻率变化测量
• 导电类型
• 电阻率
• 湿漏电试验
• 绝缘试验
• 湿漏电流试验
• 反向电流过载试验
• 接地电阻试验
• III-V族杂质含量
• 基体金属杂质含量
• 氧浓度
• 碳浓度
• 金属杂质和硼含量
• 光伏组件盐雾蚀试验
• 紫外预处理试验
• 户外曝晒试验
• 加速老化试验
• 位错密度
• 厚度及总厚度变化
• 参考面长度
• 外延层厚度
• 外延层堆垛层错密度
• 外形尺寸
• 尺寸范围
• 直径及允许偏差
• 表面质量
• 外观检查
• 外观
• 主参考面晶向
• 单晶方片边长
• 参考面位置
• 外延层位错
• 晶向及晶向偏离度
• 氧化夹层
• 氧化诱生缺陷
• 规格
• 低辐照条件下的性能
• 初始稳定性试验
• 接地连续性
• 最大功率确定
• 湿冻试验
• 低辐照度下的性能
• 冰雹试验
• 室外曝露试验
• 旁路二极管试验
• 最大功率确认
• 稳定性试验
• 电势诱导衰减试验
• 低辐照度下性能测试
• 最大功率测试
• 电势诱导衰减测试
• 最大功率测量
• 最大功率
• 稳定试验
• PID试验
• 修改
• 入射角影响的测量
• 内部导线和载流部件
• 反向过流试验

检测范围

检测范围覆盖材料领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

接地电阻测试：测量保护接地的导通电阻，确认接地连续性

表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率

静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 接地电阻测试仪
• 微欧计
• 高阻计
• 表面电阻测试仪
• 静电放电发生器

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 26071-2018《太阳能电池用硅单晶片》

GB/T 25074-2017《太阳能级多晶硅》

GB/T 13388-2009《硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法》

IEC TS 62804-1:2015 《光伏组件 - 电势诱导衰减检测的试验方法 第一部分：晶体硅》 4

GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》

GB/T 12964-2018《硅单晶抛光片》

GB/T 14142-2017《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》

UL 1703《平板光伏组件和电池板 24》

GB/T 26068-2018《硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法》

GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》

GB/T 14140-2009《硅片直径测量方法》

IEC 61215《地面用晶体硅光伏组件-设计鉴定和定型 第二部分：测试程序》

IEC 61701-2011《光伏组件盐雾腐蚀试验》

SEMI V1-0709 高分辨率辉光放电质谱法测量太阳能电池硅材料中痕量元素的方法

GB/T 12963-2014《电子级多晶硅 4.2.2》

GB/T 1555-2009《半导体单晶晶向测定方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。