硅材料检测

硅材料检测：材料产品检测项目与标准依据说明，常见项目125项，包括载流子复合寿命、少数载流子寿命等。

检测项目

力学性能

电学性能

化学性能

• 载流子复合寿命
• 少数载流子寿命
• 弯曲度
• 电阻率
• 径向电阻率变化
• 电阻及电阻率
• 导电类型
• 锑含量
• 铁含量
• 钒含量
• 钐含量
• 镁含量
• 锡含量
• 钬含量
• 铷含量
• 钾含量
• 碘含量
• 硒含量
• 铪含量
• 锂含量
• 氯含量
• 铌含量
• 硼含量
• 镝含量
• 钨含量
• 镍含量
• 钡含量
• 铕含量
• 钯含量
• 铈含量
• 铍含量
• 钪含量
• 镱含量
• 银含量
• 钌含量
• 钛含量
• 铜含量
• 锶含量
• 铱含量
• 锌含量
• 钽含量
• 金含量
• 钙含量
• 铒含量
• 钕含量
• 锇含量
• 镥含量
• 溴含量
• 铼含量
• 镓含量
• 钇含量
• 铝含量
• 氟含量
• 钠含量
• 铟含量
• 钼含量
• 钍含量
• 镨含量
• 铅含量
• 碲含量
• 硫含量
• 铀含量
• 砷含量
• 磷含量
• 铋含量
• 铊含量
• 钆含量
• 铥含量
• 镉含量
• 铑含量
• 硅含量
• 镧含量
• 钴含量
• 锆含量
• 汞含量
• 锰含量
• 铯含量
• 铽含量
• 铂含量
• 铬含量
• 总碳含量
• 氧含量
• 碳含量
• 间隙氧含量
• 工业硅杂质元素硼含量
• 工业硅杂质元素磷含量
• 工业硅杂质元素钒含量
• 工业硅杂质元素钛含量
• 工业硅杂质元素钠含量
• 工业硅杂质元素钴含量
• 工业硅杂质元素钾含量
• 工业硅杂质元素铅含量
• 工业硅杂质元素铜含量
• 工业硅杂质元素铬含量
• 工业硅杂质元素锌含量
• 工业硅杂质元素锰含量
• 工业硅杂质元素镁含量
• 工业硅杂质元素镍含量
• 工业硅钙含量
• 工业硅铁含量
• 工业硅铝含量
• 工业硅元素含量
• 厚度
• 总厚度变化
• 直径及直径偏差
• 粒度
• 切口尺寸
• 厚度和总厚度变化
• 参考面长度
• 外观检验
• 局部平整度
• 平整度
• 碳（C）
• 太阳能电池用多晶硅片
• 氧（O）
• 晶向偏离度
• 晶向
• 翘曲度
• 边缘轮廓
• 硅单晶
• 硅单晶切割片
• 硅片参考面晶向
• 多晶硅块
• 硅切割片和研磨片
• 多晶硅片

检测范围

检测范围覆盖材料领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

原子吸收光谱法（AAS）：测定样品中铅、镉、汞、砷等重金属元素含量

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：多元素同时测定，适用于基体复杂样品

原子荧光光谱法（AFS）：用于砷、汞、硒等易氢化元素的高灵敏测定

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

检测仪器

• 原子吸收光谱仪
• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 原子荧光光谱仪
• 微波消解仪
• 分析天平
• 自动电位滴定仪

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 14849.3-2020《工业硅化学分析方法 第3部分：钙含量的测定》

GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法 》

GB/T 1550-2018《非本征半导体材料导电类型测试方法》

GB/T 6620-2009《硅片翘曲度非接触式测试方法》

GB/T 26068-2018《硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法》

GB/T 1555-2009《半导体单晶晶向测定方法》

GB/T 26067-2010《切口尺寸》

GB/T 14140-2009《硅片直径测量方法》

GB/T 6618-2009《硅片厚度和总厚度变化测试方法》

GB/T 29507-2013《平整度》

Q/CPVT002-2014 《硅粉中总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法》

GB/T 1557-2018《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》

GB/T 1553-2009《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法》

GB/T 19922-2005《硅片局部平整度非接触式标准测试方法》

GB/T 13387-2009《参考面长度》

GB/T 6621-2009《GB/T29507-2013 硅片表面平整度测试方法硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法》

GB/T 1558-2009《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》

GB/T 29054-2012《太阳能级铸造多晶硅块》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。