晶体硅光伏（PV）方阵检测

晶体硅光伏（PV）方阵检测：常见项目5项，包括方阵I-V特性的现场测量、I-V特性现场测量等；适用标准以IEC 61829等现行有效版本为准。

检测项目

• 方阵I-V特性的现场测量
• I-V特性现场测量
• 晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性
• 晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量
• I-V曲线

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

X射线衍射法（XRD）：测定物相组成与晶体结构

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• X射线衍射仪

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

IEC 61829《晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量》

GB/T 18210-2000《晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。