半导体材料检测
半导体材料检测：常见项目18项，包括电阻率(电阻系数)、方块电阻等；适用标准以GB/T 32278-2015等现行有效版本为准。
检测项目
电学性能
化学性能
- 电阻率(电阻系数)
- 方块电阻
- 基体金属杂质含量钾
- 钙含量
- 表面金属杂质含量钾
- 迁移率和载流子浓度
- 外延层掺杂浓度
- 碳化硅单晶抛光片微管密度
- 平整度
- 结晶质量
- 外延层厚度
- 工业硅中铁
- 碳化硅单晶晶型
- 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)
- 选区电子衍射
- 表面粗糙度
- 外延片发光波长
- 表面缺陷
检测范围
适用于材料领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。
检测方法
电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量
滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定
表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率
静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度
检测仪器
- 电感耦合等离子体发射光谱仪
- 自动电位滴定仪
- 分析天平
- 高阻计
- 表面电阻测试仪
- 静电放电发生器
检测标准
常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：
GB/T 32278-2015《碳化硅单晶平整度测试方法》
GB/T 6617-2009《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》
SEMIPV49-0613 基体金属杂质含量(钾、钠、钙、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌)
GB/T 1551-2009《硅单品电阻率测定方法》
GB/T 14634.2-2010《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》
GB/T 30656-2014《碳化硅单晶抛光片》
GB/T 18907-2013《微束分析 分析电子显微术 透射电镜选区电子衍射分析方法》
GB/T 29849-2013《光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法》
GB/T 14141-2009《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》
GB/T 14634.1-2010《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》
SEMI PV49-0613 多晶硅基体金属杂质分析电感耦合等离子体质谱法
GB/T 5838.3-2015《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》
GB/T 24582-2009《酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》
SJ 21535-2018《电力电子器件用碳化硅外延片规范》
GB/T 31351-2014《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》
SJ 21534-2018《微波功率器件用氮化镓外延片规范》
GB/T 30854-2014《LED发光用氮化镓基外延片》
GB/T 23595.1-2009《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》
GB/T 14849.4-2014《工业硅化学分析方法 第4部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法测定元素含量》
GB/T 23595.3-2009《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》
检测说明
本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。
