光耦合器检测

光耦合器检测：常见项目35项，包括剪切强度、键合强度等；适用标准以GB/T 15651.3等现行有效版本为准。

检测项目

力学性能

热学性能

电学性能

外观检查

• 剪切强度
• 键合强度
• 高温试验
• 高低温循环试验
• 低温试验
• 反向击穿电压（二极管）
• 反向电流（二极管）
• 正向电压（输入二极管）
• 正向电流（二极管）
• 输出截止电流
• 集电极-发射极反向击穿电压
• 集电极-发射极饱和电压
• 电流传输比
• 集电极-发射极击穿电压
• 正向电压
• 逻辑低电压水平
• 反向电流
• 发射极-基极击穿电压
• 发射极-集电极击穿电压
• 集电极-发射极截止电流
• 集电极-基极击穿电压
• 集电极-基极截止电流
• 反向截止电流
• 饱和电压
• 反向击穿电压
• X射线检查
• 内部气体成份分析
• 内部目检
• 外部目检
• 密封
• 扫描电子显微镜(SEM)检查
• 粒子碰撞噪声检测(PIND)
• 扫描电子显微镜（SEM）检查
• 粒子碰撞噪声检测（PIND）
• 回波损耗
• 正向压降

检测范围

适用于环境领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

剥离/剪切试验：以规定角度与速率加载，测定剥离或粘结强度

划格法/拉开法：评价涂层与基体的附着性能

高低温试验：在规定高温与低温下保持，评价适应性

温度冲击试验：高低温快速转换，考核抗热冲击能力

检测仪器

• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• 万能材料试验机
• 附着力测试仪
• 划格器
• 高低温试验箱
• 冷热冲击试验箱
• 低温槽

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

SJ 2215.2-1982《半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法》

GB/T 15651.3-2003《半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 5.1》

GJB 4027A-2006 **电子元器件破坏性物理分析方法 1201

GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》

GB 12565《－1990 半导体器件光电子器件分规范 表D1》

SJ 2215.8-1982《半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法》

GJB4027A-2006 **电子元器件破坏性物理分析 工作项目1201第2.7条

GB 12565-1990《半导体器件光电子器件分规范》

YD/T 1117-2001《全光纤型分支器件技术条件》

GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 方法 2076

SJ 2215.9-1982《半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法》

GB/T 6571-1995《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第IV第1节1》

SJ/T 2215-2015《半导体光耦合器测试方法》

GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 2018.1

SJ 2215.7-1982《半导体光耦合器集电极－发射极反向击穿电压的测试方法》

SJ 2215.4-1982《半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。