外部目检检测

外部目检检测基于GB/T 2828.1-2012《计数抽样检验程序》标准。

检测项目

  • 表面缺陷
  • 裂纹
  • 划痕
  • 颜色一致性
  • 尺寸偏差
  • 装配完整性
  • 标签清晰度
  • 包装完整性
  • 焊接质量
  • 涂层均匀性
  • 腐蚀情况
  • 变形程度
  • 清洁度
  • 标识正确性
  • 材料一致性
  • 边缘毛刺
  • 光泽度
  • 密封性
  • 结构对称性
  • 功能性测试

检测范围

  • 金属制品
  • 塑料制品
  • 电子元件
  • 机械设备
  • 汽车零部件
  • 陶瓷制品
  • 玻璃制品
  • 纺织品
  • 包装材料
  • 医疗器械
  • 家具
  • 玩具
  • 建筑材料
  • 五金工具
  • 橡胶制品
  • 光学元件
  • 体育器材
  • 厨具
  • 灯具
  • 化工容器

检测方法

目视检查法(依据标准要求进行肉眼观察判定)

放大镜检查法(使用5-20倍放大镜识别微观缺陷)

比较样板法(与标准样板对比色差及纹理)

光照角度检查法(多角度光源下检测表面反光异常)

颜色比对卡法(采用Pantone或RAL色卡校准颜色偏差)

尺寸测量法(卡尺、千分尺等工具测量公差范围)

表面粗糙度仪检测法(量化评估表面平整度)

投影仪检测法(二维轮廓放大比对设计图纸)

三坐标测量法(三维空间尺寸精度分析)

金相显微镜检测法(金属材料微观组织观察)

电子显微镜检测法(纳米级表面形貌分析)

硬度计检测法(表面硬度值测试)

涂层测厚仪检测法(非破坏性测量涂层厚度)

气密性检测法(加压或真空环境测试密封性能)

功能性测试法(模拟实际使用验证装配效果)

检测仪器

  • 光学显微镜
  • 电子显微镜
  • 三坐标测量机
  • 表面粗糙度仪
  • 投影仪
  • 硬度计
  • 涂层测厚仪
  • 气密性检测仪
  • 光照角度检测仪
  • 色差仪
  • 金相显微镜
  • 尺寸测量仪
  • 放大镜
  • 比较样板
  • 功能性测试台

检测标准

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 0103.2.2 0202.2.2 0208.2.2 0803.2.2

2.2

2.2

2.2 1102.2.2 1103.2.2

2.2

2.2

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101~1301中2.2条 1401-1.2、1402-1.2、1403-1.2、1501-2.2、1502-2.2、1601-2.2

SJ 20642-1997《半导体光电模块总规范 4.10.11》

微波组件通用规范 GJB 8481-2015 4.11.3

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1102 混合集成电路(含多芯片组件)

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 2009.1

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0204 金属化塑料膜介质电容器

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2009.1

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2071

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2009A

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-97 方法2071

SJ 20527-1995《微波组件总规范 4.8.1》

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 3.5

IEC 60749《半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检》

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0103 2.2

军用电子元器件筛选技术要求 GJB 7243-2011 8.5

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 4.3.2

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0102 金属萡固定电阻器

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 方法2071

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1101 密封半导体集成电路

GB/T 12565-1990《半导体器件光电子器件分规范 表1 A1》

GB/T 4937.3-2012《半导体器件机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 第3部分》

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2009.1

半导体集成电路总规范 GJB597B-2012 附录B

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.2、1102 2.2、1103 2.2、1001 2.2、1002 2.2、1003 2.2

各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法 GJB 5914-2006 4.3.2

晶体振荡器通用规范 GJB 1648A-2011 3.5.13.5.2

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0208 片式固体电解质钽电容器

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目 0203云母电容器

外部目检 JEDEC JESD22-B101C:2015

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548A-96 方法2009A

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2009

纤维光学试验方法 GJB 915A-1997 方法401

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1301 声表面波器件

GB/T 12750-2006《半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) -11:1990 7 表4 B5》

IEC 60748《半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) -11:1990 7 表4 B5》

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1502 玻璃和陶瓷基片型熔断器

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0202 2.2

电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B:2003 10.1.1.1

1.1.1 16.1.1.1 16.5.1.1

1.1.1

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2068

混合集成电路通用规范 GJB 2438B-2017 表C.9

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2071

军用电子元器件筛选技术要求 GJB7243-2011 第6部分 表13~表19

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2009.1

微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2009.12

半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2071

SJ 20668-1998《微电路模块总规范 表2 鉴定 3组》

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2009

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0101 金属膜固定电阻器

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0210 瓷介微调可变电容器

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0207 固体电解质钽电容器

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0701电磁继电器

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法2071

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1001 无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管

微波组件通用规范 GJB 8481-2015 4.11.3

以上标准仅供参考,如有其他标准需求或者实验方案需求可以

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理,所引标准以现行有效版本为准。

材料试验检测
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