PROM memory检测

PROM memory检测：电子产品检测项目与标准依据说明，常见项目12项，包括静态电源电流、写恢复时间等。

检测项目

电学性能

静态电源电流

• 写恢复时间
• 写数据参数
• 功能检验
• 功能验证
• 最少写脉冲的持续时间（脉宽）
• 片选存取时间
• 读存取时间
• 输入低电平
• 输入高电平
• 输出低电平
• 输出高电平

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

GB/T 17574-1998《半导体集成电路 第2部分：数字集成电路》

GB/T 36474-2018《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）测试方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。