多晶硅检测

多晶硅检测依据国家标准《GB/T 24584-2009 多晶硅 化学分析方法》进行，该标准。

检测项目

• 总金属杂质含量
• 碳含量
• 氧含量
• 氮含量
• 电阻率
• 载流子寿命
• 晶粒尺寸
• 表面污染物
• 密度
• 熔点
• 电导率
• 少子寿命
• 表面粗糙度
• 晶界缺陷
• 总缺陷浓度
• 氢含量
• 氯含量
• 硼含量
• 磷含量
• 硫含量

检测范围

• 太阳能级多晶硅
• 电子级多晶硅
• 冶金级多晶硅
• 颗粒状多晶硅
• 块状多晶硅
• 锭状多晶硅
• 片状多晶硅
• 高纯多晶硅（11N）
• 中纯多晶硅（9N）
• 掺镓多晶硅
• 掺铝多晶硅
• 棒状多晶硅
• 铸造多晶硅
• 直拉法多晶硅
• 流化床法多晶硅
• 西门子法多晶硅
• 区熔多晶硅
• 回收多晶硅
• 薄膜太阳能用多晶硅
• 半导体衬底用多晶硅

检测方法

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）

用于痕量金属杂质定量分析。

辉光放电质谱法（GDMS）

深度分析材料内部杂质分布。

傅里叶变换红外光谱法（FTIR）

测试碳、氧等非金属杂质含量。

四探针电阻率测试法：测量多晶硅电学性能。

霍尔效应测试法：分析载流子浓度及迁移率。

微波光电导衰减法（μ-PCD）：测试少子寿命。

X射线衍射法（XRD）：分析晶体结构及晶粒尺寸。

扫描电子显微镜（SEM）：观察表面形貌及微观缺陷。

透射电子显微镜（TEM）：检测晶界及原子级缺陷。

X射线荧光光谱法（XRF）：快速筛查表面元素组成。

气体分析仪

测试氢、氯等气体杂质含量。

热重分析法（TGA）

评估材料热稳定性及挥发物含量。

激光粒度分析法

测量颗粒状多晶硅粒径分布。

原子力显微镜（AFM）：量化表面粗糙度参数。

金相显微镜法：观察晶界缺陷及宏观结构。

检测仪器

• 电感耦合等离子体质谱仪
• 辉光放电质谱仪
• 傅里叶变换红外光谱仪
• 四探针电阻率测试仪
• 霍尔效应测试系统
• 微波光电导衰减仪
• X射线衍射仪
• 扫描电子显微镜
• 透射电子显微镜
• X射线荧光光谱仪
• 气体分析仪
• 热重分析仪
• 激光粒度分析仪
• 原子力显微镜
• 金相显微镜
• 密度计
• 电导率测试仪
• 气相色谱仪
• 熔点测试仪
• 少子寿命测试系统

检测标准

CNCA/CTS 0009-2014 光伏组件转换效率测试和评定方法

JC/T 2067-2011《太阳能多晶硅用熔融石英陶瓷坩埚》

GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》

IEC 61215《-1-2:2016 标准测试条件和标称工作温度下的性能》

GB/T 25074-2017《太阳能级多晶硅》

GB/T 1550-2018《非本征半导体材料导电类型测试方法》

GB/T 12963-2014《电子级多晶硅》

GB/T 35306-2017《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》

GB/T 25076-2018《太阳电池用硅单晶》

GB/T 37049-2018《电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》

GB/T 31854-2015《光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法》

GB/T 1558-2009《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》

GB/T 33236-2016《多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱》

GB/T 24582-2009《酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》

GB/T 29849-2013《光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法》

ISO 13322.2《粒度分析-图像分析法-第2部分:动态图像分析方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。