微电子材料检测

微电子材料检测：常见项目47项，包括少子寿命、晶片弯曲度等；适用标准以GB/T4326-2006等现行有效版本为准。

检测项目

力学性能

热学性能

砷化镓材料热稳定性

电学性能

化学性能

• 少子寿命
• 晶片弯曲度
• 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度
• 电阻率与掺杂剂浓度换算
• 电阻率均匀性
• 砷化镓材料霍尔迁移率和电阻率的均匀性
• 硅单晶电阻率
• 扩散层和离子注入层薄层的电阻
• 硅片电阻率
• 硅外延层电阻
• 导电类型
• 径向电阻率变化
• 工业硅中杂质元素含量
• 砷化镓单晶EL2浓度
• 砷化镓材料杂质浓度
• 砷化镓材料霍尔迁移率
• 硅晶体中氧含量
• 硅晶体中碳含量
• 硅晶体中间隙氧含量径向变化
• 硼含量
• 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量
• 砷化镓单晶位错密度
• 硅外延层厚度
• 硅抛光片表面质量
• 硅片厚度和总厚度变化
• 硅片直径测量
• 碳化硅单晶抛光片表面质量
• 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化
• 碳化硅单晶片微管密度
• 碳化硅单晶片直径
• 晶向
• 晶片翘曲度
• 砷化镓单晶AB微缺陷
• 砷化镓和磷化铟材料霍尔系数
• 砷化镓材料杂质均匀性
• 硅单晶完整性
• 硅外延层
• 硅外延层晶体完整性
• 硅多晶断面夹层
• 硅抛光片氧化诱生缺陷
• 硅材料缺陷
• 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度
• 磷化铟位错
• 锗单晶位错
• 霍尔系数
• 多晶硅表面金属

检测范围

适用于材料领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

原子吸收光谱法（AAS）：测定样品中铅、镉、汞、砷等重金属元素含量

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：多元素同时测定，适用于基体复杂样品

原子荧光光谱法（AFS）：用于砷、汞、硒等易氢化元素的高灵敏测定

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

检测仪器

• 原子吸收光谱仪
• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 原子荧光光谱仪
• 微波消解仪
• 分析天平
• 自动电位滴定仪

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

SJ/T 11503-2015《碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法》

GB/T 4326-2006《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》

GB/T 30866-2014《碳化硅单晶片直径测试方法》

GB/T 1557-2006《硅晶体中氧含量》

GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》

GB/T 14142-2017《硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法》

GB/T 13389-2014《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》

GB/T 6620-2009《硅片翘曲度非接触式测试方法》

GB/T 14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》

GB/T 1555-2009《半导体单晶晶向测定方法》

GB/T 30868-2014《碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》

GB/T 14140-2009《硅片直径测量方法》

GB/T 14141-2009《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》

GB/T 30453-2013《硅材料原生缺陷图谱》

GB/T 30867-2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》

GB/T 19199-2015《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》

GJB 1927-1994 砷化镓单晶材料测试方法 GJB 1927-1994

GB/T 6618-2009《硅片厚度和总厚度变化测试方法》

GB/T 1554-2009《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》

GB/T 18032-2000《砷化镓单晶AB微缺陷检验方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。