半导体设备保护用熔断体检测

半导体设备保护用熔断体检测：常见项目84项，包括机械强度、机械强度试验等；适用标准以GB/T 13539.4等现行有效版本为准。

检测项目

力学性能

热学性能

电学性能

化学性能

尺寸

• 机械强度
• 机械强度试验
• 温升和耗散功率
• 约定不熔断电流
• 约定熔断电流
• 熔断器支持件的布置
• 温升与耗散功率
• 约定不熔断电流与约定熔断电流验证
• 熔断体的额定电流验证
• 耐热性验证
• 耐非正常的热和火验证
• 耐非正常热和火
• 温升与耗散功率验证
• 熔断器的尺寸
• 和“gN”熔断体弧前I2t值和降低电压下的熔断I2t值的计算
• 具有连接外部铜导线的无螺纹型接线端子的熔断器底座的特殊要求
• 耐热性
• 熔断体的过电流选择性
• 温升
• 半导体设备保护用熔断体
• 额定电流验证
• 电阻
• 绝缘性能验证
• 时间-电流特性和门限验证
• 截断电流特性验证
• I 2 t特性和过电流选择性验证
• 绝缘性能和隔离适用性验证
• 完整试验（电阻）
• 额定电流的验证
• 截断电流-时间特性的计算
• 截断电流特性
• 额定电流
• 绝缘性能和隔离适用性
• 峰值耐受电流
• 电磁兼容性
• 时间-电流特性
• 耐应力腐蚀龟裂验证
• 耐应力腐蚀龟裂
• 分断能力验证
• 过载能力验证
• 标志
• 隔离适用性验证
• 过载
• 约定电缆过载保护
• 指示装置和撞击器动作
• 外壳防护等级验证
• 触头不变坏验证
• 耐锈性验证
• 动作验证
• 耐锈性
• 撞击器的动作
• 约定电缆过载试验
• 过载能力的验证
• No.12 分断能力和动作特性
• No.13 “gR”和“gS”分断能力和动作特性
• No.11 分断能力和动作特性
• N0.6动作特性试验
• No.12a “aR”分断能力和动作特性
• No.10 动作特性试验
• No.1 分断能力
• No.2a “aR”分断能力
• N0.7动作特性试验
• N0.8动作特性试验
• No.2 分断能力
• N0.9 动作特性试验
• No.5 “gR”和“gS”分断能力
• “gG”
• “gM”
• “gD”
• 短路功率因数的测量
• 动作
• 机械设计
• 触头不变坏
• 耗散功率
• 防电击保护
• 机械选择性试验
• 总则
• 防护等级
• 门限
• No2a “aR”分断能力
• No.21 分断能力和动作特性
• 约定电缆过载保护试验
• 指示器装置和撞击器的动作

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

发射测试：测量电源端传导骚扰与辐射骚扰电平

抗扰度测试：施加规定的骚扰量，观察工作状态变化

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• EMI接收机
• 人工电源网络
• 电波暗室
• 静电放电发生器

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 13539.4-2016《-4(Ed 5.0):2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 /8.7/8.7》

IEC 60269《-4(Ed 5.0):2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 /8.7/8.7》

EN 60269

GB/T 13539.1-2015

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。