碳化硅单晶片检测

碳化硅单晶片检测：常见项目6项，包括厚度与总厚度变化、微管密度等，依据GB/T 30866-2014等标准执行，判定以标准条款为准。

检测项目

• 厚度与总厚度变化
• 微管密度
• 直径
• 表面质量
• 晶型
• 表面粗糙度

检测范围

适用于机械领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

重量法/浮力法/气体置换法：测定单位体积质量或相对密度

测厚法：千分尺或非接触方式测量厚度

称重法：测定单位面积质量

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 电子密度计
• 密度天平
• 千分尺
• 测厚仪
• 电子天平

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

SJ/T 11503-2015《碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法》

SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》

GB/T 30866-2014《碳化硅单晶片直径测试方法》

GB/T 30867-2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》

GB/T 31351-2014《碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》

SJ/T 11504-2015《碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。