半导体IGBT电路检测

半导体IGBT电路检测：常见项目22项，包括高温寿命、低温测试等，依据GB/T4586-1994等标准执行，判定以标准条款为准。

检测项目

力学性能

高温寿命

热学性能

电学性能

• 低温测试
• 稳态热阻R ja
• 高温反偏试验
• 高温测试
• 最大集电极电流I C
• 栅极-发射极阈值电压V GE(ON)
• 栅极漏电流I GES
• 集电极-发射极击穿电压V (BR)CES
• 集电极-发射极通态电压V CE(ON)
• 集电极-发射极饱和电压V CE(sat)
• 集电极峰值电流I CM
• 反向恢复时间t rr
• 密封
• 开关时间(t d(on)）
• t r
• t f
• t d（off））
• 栅电荷(Qg、Qgs、Qgd)
• 正向跨导gfs
• Rj c
• 老炼试验

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

工频/直流耐压试验：按规定的升压速率施加电压，评价介质耐压能力

疲劳试验：施加交变载荷，测定疲劳寿命或S-N曲线

耐久性试验：模拟实际工况进行重复加载考核

密封性能试验：加压或抽真空检漏，评价密封等级

外壳防护试验：按IP等级进行淋水、扬尘等考核

检测仪器

• 耐压测试仪
• 击穿电压测试仪
• 疲劳试验机
• 电液伺服试验机
• 气密性检漏仪
• 氦质谱检漏仪
• 淋雨试验箱
• 砂尘试验箱

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 4586-1994《半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 第Ⅳ章第10条》

JESD51-14-2010 半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法

GB/T 29332-2012《半导体器件 分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） 6.3.3》

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 1071

GB/T 6571-1995《半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节4.2.3、4.2.4》

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 108

MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F

MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3472.2

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。