晶体硅太阳能电池与硅片检测

晶体硅太阳能电池与硅片检测：常见项目4项，包括硅片方块电阻及电阻率、扫描电镜形貌分析等；适用标准以GB/T 14141-2009等现行有效版本为准。

检测项目

电学性能

硅片方块电阻及电阻率

• 扫描电镜形貌分析
• 电极栅线宽高比
• 能谱法半定量分析

检测范围

适用于电子领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

表面/体积电阻测试：施加标准电压测量电阻值并换算电阻率

静电放电试验：模拟人体静电放电考核产品抗扰度

检测仪器

• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 自动电位滴定仪
• 分析天平
• 高阻计
• 表面电阻测试仪
• 静电放电发生器

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 14141-2009《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》

JY/T 0584-2020 扫描电子显微镜分析方法通则

GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法 方法1》

SEMI PV66-0715-2015 光伏电池电极栅线高宽比的测量： 激光扫描共聚焦显微镜法

GB/T 17359-2012《微束分析 能谱法定量分析》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。