导体材料检测

导体材料检测：常见项目36项，包括抗拉强度和断裂伸长率试验、标准温度电阻等；适用标准以GB/T 20123-2006等现行有效版本为准。

检测项目

力学性能

抗拉强度和断裂伸长率试验

热学性能

标准温度电阻

电学性能

化学性能

• 体积电阻率
• 单位长度电阻
• 电阻率
• 直流电阻比率
• 质量电阻率
• 导电率
• 电阻率(电阻系数)
• 交流电压试验
• 直流电压试验
• 金属材料电阻率试验
• 方块电阻
• 基体金属杂质含量钾
• 钙含量
• 表面金属杂质含量钾
• 迁移率和载流子浓度
• 外延层掺杂浓度
• 金属护套厚度
• 铠装金属丝镀层重量试验
• 碳化硅单晶抛光片微管密度
• 平整度
• 结晶质量
• 外延层厚度
• 电导率
• 缠绕试验
• 金属丝外径
• 锡和银镀层连续性试验
• 镍镀层连续性试验
• 工业硅中铁
• 碳化硅单晶晶型
• 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)
• 选区电子衍射
• 表面粗糙度
• 外延片发光波长
• 表面缺陷

检测范围

适用于材料领域常见产品与材料的送检；样品要求依适用标准规定，委托前可确认取样数量与状态。

检测方法

原子吸收光谱法（AAS）：测定样品中铅、镉、汞、砷等重金属元素含量

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：多元素同时测定，适用于基体复杂样品

原子荧光光谱法（AFS）：用于砷、汞、硒等易氢化元素的高灵敏测定

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：同时测定多种金属元素含量

滴定分析法：用于钙、镁等常量元素的容量法测定

检测仪器

• 原子吸收光谱仪
• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 原子荧光光谱仪
• 微波消解仪
• 分析天平
• 自动电位滴定仪

检测标准

常见适用标准如下；标准存在更新或替代时，以委托时现行有效版本为准：

GB/T 20123-2006《钢铁 总碳硫含量的测定 高频感应炉燃烧后红外吸收法(常规方法)》

ISO 15350《钢铁 总碳硫含量的测定 高频感应炉燃烧后红外吸收法(常规方法)》

GB/T 1551-2009《硅单品电阻率测定方法》

GB/T 14634.2-2010《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》

ASTM B 193-20 电工导体材料电阻率标准试验方法 ASTM B193-20

GB/T 18907-2013《微束分析 分析电子显微术 透射电镜选区电子衍射分析方法》

GB/T 12966《铝合金电导率涡流测试方法》

GB/T 14141-2009《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》

GB/T 32651-2016《采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法》

GB/T 14634.1-2010《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》

AS/NZS1660.1:1998 电缆、电线和导体试验方法-导体和金属

GB/T 5838.3-2015《荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)》

SJ 21535-2018《电力电子器件用碳化硅外延片规范》

GB/T 351-2019《金属材料 电阻率测量方法》

ASTMB 193《-16 电工导体材料电阻率标准试验方法》

CSA22.2NO.0.3-09(R2019) 电线电缆试验方法

GB/T 30854-2014《LED发光用氮化镓基外延片》

AS/NZS 1660.1:1998 电缆、电线和导体试验方法-导体和金属 2

GB/T 24582-2009《表面金属杂质含量(钾、钠、钙、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌)》

SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。