电子电气元件检测

电子电气元件检测：电子产品检测项目与标准依据说明，常见项目21项，包括温度冲击试验、高温寿命试验等。

检测项目

力学性能

热学性能

化学性能

盐雾试验

• 温度冲击试验
• 高温寿命试验
• 恒态湿热试验
• 温度循环
• 温度贮存
• 低气压（高度）试验
• 低频振动试验
• 耐湿试验
• 高频振动试验
• 六价铬
• 多溴联苯和多溴二苯醚
• 多环芳烃
• 邻苯二甲酸酯
• 总铬
• 总溴的筛选分析
• 铅和铬
• 密封
• 稳态加速度
• 外部目检
• 老炼

检测范围

检测范围覆盖电子领域常见产品类型；样品数量、状态与预处理要求按所引标准执行。

检测方法

原子吸收光谱法（AAS）：测定样品中铅、镉、汞、砷等重金属元素含量

电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）：多元素同时测定，适用于基体复杂样品

原子荧光光谱法（AFS）：用于砷、汞、硒等易氢化元素的高灵敏测定

气相色谱-质谱联用法（GC-MS）：对增塑剂类物质进行提取、分离与确证定量

高效液相色谱法（HPLC）：用于热不稳定或难挥发成分的分离测定

检测仪器

• 原子吸收光谱仪
• 电感耦合等离子体发射光谱仪
• 原子荧光光谱仪
• 微波消解仪
• 分析天平
• 气相色谱-质谱联用仪
• 高效液相色谱仪
• 索氏提取器
• 旋转蒸发仪

检测标准

常用标准与依据如下，所引标准如遇更新、替代或废止，以现行有效版本为准：

IEC 62321

GB/T 26125-2011《电子电气产品 六种限用物质（铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚）的测定》

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法 2071

GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 方法112

AfPS GS 2019:01 PAK 在GS标志认证下的多环芳烃(PAH)测试及评估

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009

GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法 1038

GJB 306B-2009 电子电气元件试验方法 105

GJB 306B-2009 电子电气元件试验方法 GJB 306B-2009

检测说明

本页内容依据公开发布标准与公开资料整理，所引标准以现行有效版本为准。